EMMI / InGaAs微光显微镜失效点定位

       在半导体失效分析中，微光显微镜是一种常用且高效的失效点定位工具。

       工作原理:它通过给开盖后的芯片加偏压以及输入信号的方式，模拟芯片工作的环境，并通过专用的微光探测器探测出微光发光位置并与显微镜下抓拍到的芯片内部电路（背景）叠加，定位出芯片内部的发光位置（疑似失效点），从而为失效点的深度判定提供方向与参考意见。

侦测得到亮点之情况:
会产生微光亮点的常见缺陷有:
       1.结漏电;2.结雪崩;3.接触毛刺;4.热电子效应;5.绝缘氧化层针孔漏电或者击穿;6.多晶硅晶须;7.衬底损伤;8.Latch-Up闩锁效应;9.ESD失效;10.其他发生电子与空穴复合而发光的情形。

侦测不到亮点之情况:
       不会出现亮点之故障:1.亮点位置被挡到或遮蔽到的情形 (埋入式的接面及大面积金属线底下的漏电位置); 2.欧姆接触;3.金属互联短路;4.表面反型层;5.硅导电通路等。

       微光发光是各向同性的。对于亮点被遮蔽的情况，我们可以采用观测晶片背面(Backside)模式，并且可以通过研磨抛光晶片背面，获得更清晰的亮点影像。背面观测的方式适合1064nm波长以下的近红外光。

       无锡阿尔法检测实验室拥有多台EMMI分析工具和多年应用经验，可以为客户提供客制化的芯片失效点分析和定位服务。